極低応力剥離が可能な
「仮接合技術」の開発に成功
超音波振動により低応力で容易に剥離が可能な、仮接合技術の開発に成功しました。
有機系接着剤や熱、紫外線等を一切必要としません。
有機系接着剤や熱、紫外線等を一切必要としません。
常温接合装置の製造販売を手掛ける、ランテクニカルサービス株式会社（所在地：東京都新宿区西新宿1-26-2-32F、代表取締役：松本好家）は、常温接合技術を利用したまったく新しい「仮接合」方法を開発しました。
背景
AI,IoT,5G/6G等の急激な進化に伴い、あらゆるデバイスに薄型化が求められています。しかし、薄型化は製造工程での搬送に課題が多く、キャリア基板への簡素でクリーンな仮接合技術の確立が急務です。
現状では、有機系接着剤による仮接合と紫外線照射による剥離が一般的ですが、ワーク基板への残留物が問題となっており、キャリア基板側は紫外線を透過する素材が必須です。また、キャリア基板がSiウェハーでは、有効な手段がありませんでした。
製品の概要
常温接合法により無機膜をキャリア基板に蒸着し、ワーク基板を接合します。
通常の製造工程では接合状態を維持し、剥離することはありません。
各工程終了後、所定の超音波振動を与えることにより、極低応力で剥離が可能となります。
ワーク基板側には残留物はほとんどありません。
Siウェハー同士、SiウェハーとGlass、GlassとGlassの仮接合に対応します。
＜3つの特長＞
- 超音波振動により容易に剥離が可能
- 基材への応力が極めて低い
- ワーク基材への残留物がほとんどない
今後の展望
急成長が予想される半導体インターポーザー製造工程に最適な技術であり、現行のSiインターポーザー及び将来的なGlassインターポーザーへも対応可能。早急な工程検証を計画中です。
